Yong P. Chen Research Group - Quantum Matter and Devices Lab - Purdue University
Quantum Matter and Devices Lab ยป Purdue's TI and other bulk Crystals

Purdue's TI Crystals

  A List of Bulk TI and related crystals grown by Bridgman technique at Purdue for Topological Insulator research.      
Crystal Size and Number of crystals
Bi2Se3 Series:
Bi2Se3 15mm×10mm×4mm
Bi2Se3.05 15mm×10mm×4mm
Bi2Se3.1 25mm×10mm×10mm
Bi2Se3.2 20mm×10mm×5mm (3)
Bi2Se3.3 25mm×10mm×6mm (2)
Bi2Se2.99 4mm×4mm×3mm (2)
Bi2Se2.98 20mm×10mm×3mm (2)
Bi2Se2.8 15mm×10mm×2mm (2)
Bi2Se2.7 15mm×10mm×3mm (2)
Magnetically doped Bi2Se3
Bi1.99Fe0.01Se3 5mm×4mm×1mm (~10)
Bi1.98Fe0.02Se3 20mm×8mm×1mm
Fe0.04(Bi2Se3)0.96 10mm×8mm×1mm (~10)
Fe0.08(Bi2Se3)0.92 20mm×8mm×3mm
Bi1.90Fe0.10Se3 10mm×10mm×4mm
Bi1.85Fe0.15Se3 15mm×10mm×5mm
Bi1.80Fe0.20Se3 15mm×10mm×3mm
Bi1.75Fe0.25Se3 10mm×4mm×3mm (2)
Bi1.99Co0.01Se3 25mm×10mm×10mm
Bi1.98Co0.02Se3 5mm×4mm×1mm (~10)
Bi1.96Co0.04Se3 10mm×5mm×1mm (~10)
Bi1.94Co0.06Se3 25mm×10mm×10mm (2)
Bi1.8Co0.2Se3 30mm×10mm×10mm
Bi1.98Mn0.02Se3 20mm×5mm×2mm (3)
Bi1.96Mn0.04Se3 10mm×4mm×3mm (5)
Bi1.95Cr0.05Se3 20mm×5mm×2mm (2)
Bi1.93Cr0.07Se3 20mm×5mm×3mm (2)
Bi1.90Cr0.10Se3 30mm×10mm×5mm (2)
Bi1.85Cr0.15Se3 20mm×10mm×4mm
Nonmagnetically doped Bi2Se3
Cu0.02Bi2Se3 25mm×10mm×4mm
Cu0.05Bi2Se3 20mm×5mm×3mm
Cu0.12Bi2Se3 15mm×10mm×1mm
Cu0.15Bi2Se3 5mm×5mm×2mm (3)
Cu0.18Bi2Se3 10mm×5mm×2mm
Cu0.20Bi2Se3 8mm×5mm×1mm (2)
Cu0.25Bi2Se3 5mm×2mm×1mm (3)
Bi1.98Mg0.02Se3 25mm×8mm×3mm (2)
Bi1.96Mg0.04Se3 35mm×10mm×5mm
Mixture between TI and non-TI (eg. topological transition in (InSe)x(Bi2Te3)1-x)
(InSe)0.10(Bi2Se3)0.90 10mm×10mm×10mm(2)
(InSe)0.20(Bi2Se3)0.80 10mm×10mm×10mm(2)
(InSe)0.50(Bi2Se3)0.50 10mm×10mm×10mm(2)
   
Bi2Te3 Series:
Bi2Te3 20mm×10mm×5mm (3)
Bi2.05Te3 15mm×10mm×3mm (2)
Bi2.1Te3 15mm×8mm×3mm (4)
Bi2.2Te3 25mm×10mm×3mm (2)
Magnetically doped Bi2Te3
Bi2Te3+0.5%Cr 30mm×10mm×5mm
Bi2Te3+1%Cr 25mm×10mm×10mm (2)
Bi1.98Cr0.02Te3 20mm×10mm×2mm (3)
Bi1.95Cr0.05Te3 20mm×5mm×3mm
Bi1.85Cr0.15Te3 25mm×10mm×5mm
   
Sb2Te3 25mm×8mm×4mm(3)
   
Bi-Sb alloys
Bi/Sb (60/40) 30mm×10mm×10mm
Bi/Sb (50/50) 30mm×10mm×10mm
   
Sb2Se3 (non-TI) Series:
Sb2Se3 10mm×5mm×2mm (3)
Sb2Se2.95 20mm×10mm×5mm
Sb2Se2.99 10mm×10mm×2mm (2)
Sb2Se3+0.5%Bi 15mm×5mm×4mm
Sb2Se3+0.5%Ag 20mm×8mm×5mm
   
Bi-Sb-Te (“BST”) series:
Sb doped Bi2Te3 30mm×10mm×5mm (5)
Bi0.2Sb1.8Te3 5mm×3mm×1mm (~10)
Bi0.12Sb1.88Te3 35mm×10mm×5mm
Bi0.08Sb1.92Te3 35mm×10mm×5mm
Bi0.04Sb1.96Te3 30mm×10mm×4mm
(Bi0.5Sb0.5)2Te3 15mm×10mm×4mm
(Bi2Te3)0.23(Sb2Te3)0.77 15mm×10mm×4mm (2)
Magnetically doped BST (“QAH material”)
Cr0.15(Bi0.10Sb0.90)1.85Te3 20mm×10mm×5mm(5)
Fe0.15(Bi0.10Sb0.90)1.85Te3 25mm×10mm×5mm(2)
Mn0.15(Bi0.10Sb0.90)1.85Te3 30mm×10mm×10mm(3)
   
Bi2Te2Se  (“BTS221”)  Series:
Bi2Te2Se 25mm×10mm×5mm (3)
Bi2Te2Se0.995 30mm×8mm×4mm
Bi2Te2Se0.99 35mm×10mm×4mm
Bi2Te2Se0.985 25mm×10mm×5mm (2)
Bi2Te2Se0.98 15mm×5mm×5mm
Bi2Te2Se0.75 30mm×10mm×4mm
Bi2Te1.98Se 20mm×10mm×4mm
Bi2Te1.96Se 10mm×5mm×3mm (2)
Bi2Te1.94Se 15mm×5mm×2mm (3)
(Bi2Se3)0.10(Bi2Te3)0.90 20mm×10mm×5mm (2)
Magnetically doped BTS221
Bi1.98Cr0.02Te2Se 20mm×5mm×3mm (2)
Bi1.95Cr0.05Te2Se 10mm×5mm×3mm
Bi1.90Cr0.10Te2Se 20mm×10mm×3mm
   
Bi2Te1.5Se1.5 30mm×10mm×10mm
   
Bi2Se2Te (“BST221”) Series:
Bi2Se2Te 15mm×10mm×4mm
Bi2Se2.005Te0.995 15mm×10mm×4mm
Bi2Se1.995Te1.005 15mm×10mm×4mm
   
Sb-Te-Se (“STS221”) series:
Sb2Te2Se 30mm×10mm×10mm
Sb2Te1.995Se1.005 30mm×10mm×10mm
Sb2Te2.005Se0.995 30mm×10mm×10mm
   
Bi-Sb-Te-Se (BSTS) Series
Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3 20mm×10mm×5mm (2)
Bi1.5Sb0.5Te1.7S1.3 15mm×10mm×5mm
   
BiSbTeSe2 (BSTS1112) 30mm×20mm×10mm (2)
   
Bi-Sb-Se series (mixture b/t TI and non-TI):
(Bi2Se3)0.35(Sb2Se3)0.65 35mm×10mm×4mm (3)
(Bi2Se3)0.9(Sb2Se3)0.1 35mm×10mm×5mm (2)
   
Bi2Te2S Series:
Bi2Te2S 20mm×10mm×4mm (2)
Bi2Te1.5S1.5 20mm×10mm×3mm
Magnetically doped Bi2Te2S
Bi2Te2S+0.1%Mn 20mm×10mm×4mm
Bi1.98Mn0.02Te2S 15mm×10mm×3mm
Bi1.96Mn0.04Te2S 5mm×5mm×5mm (2)
Bi1.92Mn0.08Te2S 15mm×5mm×3mm (3)
Non-magnetically doped Bi2Te2S
Bi2Te2S+0.1%Mg 15mm×10mm×4mm
Bi1.96Mg0.04Te2S 20mm×10mm×3mmw
Bi1.92Mg0.08Te2S 15mm×5mm×3mm (3)
   
Bi2Se2S Series:
Bi2Se2S 30mm×10mm×10mm
Bi2Se2.005S0.995 30mm×10mm×10mm
Bi2Se1.995S1.005 25mm×10mm×10mm
   
Ge-based TIs
GeBi2Te4 (GBT124) 20mm×12mm×4mm (2)
Ge intercalated Bi2Te3 (with Ge concentration = 3, 5, 10 and 15%) 25mm×12mm×4mm (4)
GeTe (β form) 10mm×10mm×15mm(2)
   
Pb-Bi based TIs:
PbBi4Te7 (PBT147) 25mm×10mm×5mm(4)
PbBi2Te4 (PBT124) 25mm×10mm×5mm(3)
PbBi4Se7 (PBS147) 25mm×10mm×5mm(2)
PbBi2Se4 (PBS124) 25mm×10mm×5mm(2)
   
HgTe Series:
HgTe 10mm×5mm×4mm (4)
Hg0.55Cd0.45Te 5mm×5mm×2mm
HgCdTe 5mm×5mm×2mm (6)
   
CdTe Series:  
CdTe+5%Se 25mm×12mm×12mm
CdTe0.6Se0.4 15mm×10mm×10mm (2)
CdTe+10%S 10mm×10mm×2mm
CdTe+15%S 10mm×10mm×2mm
CdTe+25%S 10mm×10mm×2mm
CdTe+30%S 10mm×10mm×2mm
CdTe0.9S0.1 10mm×10mm×5mm (5)
CdTe0.8S0.2 10mm×10mm×5mm (2)
   
Sn-based Topological crystalline insulators (TCI)
SnTe 10mm×10mm×15mm(2)
PbTe 10mm×10mm×15mm(2)
Pb0.77Sn0.23Te 5mm×5mm×10mm(2)
Mixture b/t HgTe and SnTe (Hg1-xSnxTe)
Hg0.9Sn0.1Te 5mm×5mm×4mm (3)
Hg0.5Sn0.5Te 5mm×5mm×4mm (3)
Hg0.25Sn0.75Te 5mm×5mm×10mm (3)
   
Other TIs
CsPbCl3 10mm×10mm×5mm
Other crystals (selected)
GaS
GaSe
GaTe
magnetically doped Ga(S,Se,Te)
Fe(Te,Se)
GaAs
InSb
 
Grown at Purdue Physics Seminconductor Crystal Growth Facilities by Dr. Irek Miotkowski.   These crystals have also been made available to outside collaborators to perform a variety of measurements.   List updated 01/2014.   Contact: yongchen@purdue.edu